采用超薄精密切削工艺制备的纳米复合陶瓷改性 PTFE 膜材料,介电常数(Dk)可按需调节,在高频下具有超低介电损耗(Df)、优异的耐热性与低热收缩率,介电性能稳定,适用于相控雷达、AI 服务器、5G 基站等需要低损耗、高绝缘耐压与信号完整性的高频高速场景。
| 项目 | 单位 | 测试方法 | 典型值 |
|---|---|---|---|
| 介电常数 Dk | - | IPC TM-650 | 2.1-2.6(可调) |
| 介电损耗 Df | - | IPC TM-650 | ≤ 0.0015 |
| 耐热温度 | ℃ | TMA | ≥ 260 |
| 热收缩率 | % | 200℃/30min | ≤ 0.5 |
* 以上为典型值,不作为产品规格限制。更多数据请下载技术资料。
采用超薄精密切削工艺制备,使用时按设计要求进行裁切与层压;具体加工窗口与叠层建议请联系技术团队。
采用防尘防潮包装,存放于阴凉、干燥、通风处,避免挤压与高温环境。开封后请尽快使用并密封保存。